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可控硅被擊穿的原因有哪些
發(fā)布時間：
2022-02-08 15:31
1、過壓擊穿：過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內(nèi)過壓也會被擊穿的，因此實際應(yīng)用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅擊穿，請檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。
2、過流與過熱擊穿：其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿就是電流在通過可控硅芯片時在芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng)，使芯片溫度升高，當芯片溫度達到125℃時芯片就會失效且不能恢復(fù)。在正常的使用條件下，只要工作電流不超過可控硅額定電流是不會發(fā)生這種熱擊穿的，因為過流擊穿原理是由于溫度升高所引起的，而溫度升高的過程是需要一定時間的，所以在短時間內(nèi)過流（幾百毫秒到幾秒時間）一般是不會擊穿的。
3、過熱擊穿：這里所說的過熱擊穿是指在工作電流并不超過可控硅額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿，發(fā)生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過高導(dǎo)致?lián)舸?/span>
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